1603HES1149-1系列线性限幅器
性能特点
l频率范围：10-5000MHz
l插入损耗：0.6dB
l低限幅电平：11dBm
l高输入P-1：10dBm
l高三阶交调抑制：60dBc
l高耐功率：5W(CW)
l快速响应时间：10ns
l小封装尺寸：5×5×2.2mm
典型应用
lAD前端保护
l军事航天
l无线通信设备
l雷达
l测试测量
l仪器仪表
概述
随着电子技术发展与半导体工艺的进步，接收链路的线性度越来越高，中频放大器的线性功率输出可达10dBm，饱和功率可达20dBm甚至1W，AD等精密器件的保护问题凸显。传统限幅器起限功率小，漏功率高，功率泄露不平坦，线性度差，很难满足保护AD芯片的要求。
HES1149-1系列限幅器起限功率高(P-1可高达10dBm)，线性度好，功率泄露平坦，漏功率低(可低至13dBm)。金属陶瓷管壳，平行封焊，气密封装，表面贴装；薄膜工艺，稳定可靠，可满足宇航级应用。
电性能表 （50Ω测试系统，TA=+25℃）
型号 | 频率范围(MHz) | 差损a(dB) | 驻波a | 限幅电平b (dBm) | 输入P-1(dBm) | 三阶交调抑制c (dBc) | 最大承受功率(W) | |||||
Typ | Max | Typ | Max | Typ | Max | Typ | Min | Typ | Min | |||
HES1149-1 | 10-2000 | 0.4 | 0.8 | 1.5:1 | 1.8:1 | 11 | 13 | 7 | 6 | 55 | 45 | 2 |
2000-5000 | 1.0 | 1.4 | 1.5:1 | 1.8:1 | 9 | 11 | 6 | 5 | 45 | 35 | 2 | |
HES1149-1A | 60-80 | 0.5 | 0.8 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 65 | 60 | 5 |
HES1149-1B | 100-150 | 0.5 | 0.9 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 65 | 60 | 5 |
HES1149-1C | 200-300 | 0.6 | 1.0 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 65 | 60 | 5 |
HES1149-1D | 300-500 | 0.6 | 1.0 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 10 | 9 | 60 | 55 | 5 |
HES1149-1E | 700-1000 | 0.7 | 1.2 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 9 | 8 | 60 | 55 | 5 |
HES1149-1F | 1000-1500 | 0.8 | 1.2 | 1.5:1 | 1.8:1 | 12 | 13 | 9 | 8 | 60 | 55 | 5 |
HES1149-1G | 2000-3000 | 0.9 | 1.2 | 1.5:1 | 1.8:1 | 11 | 13 | 9 | 8 | 55 | 50 | 5 |
注：“a” Pin=-20dBm；“b” Pin=25dBm；“c” Pin=0dBm，Δf=1MHz。
典型曲线
极限参数
最大输入功率 | 5W(CW) |
存储温度 | -65~+125℃ |
工作温度 | -55~+85℃ |
使用说明
1.电路图按照上图连接，内部集成隔直电容；
2.低频及宇航级产品需用户外置隔直电容；
3.限幅功率较高，使用中注意散热；
4.可提供用户定制的其它频段产品；
5.背面需良好接地。
外形尺寸
